STQ2LN60K3-AP备选型号: FQNL2N50BBU
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 无铅
- MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)9 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)600mA Tc150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH3™活跃1 (Unlimited)EAR99STQ22.5W10 nsN-Channel4.5 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 50μA235pF @ 50V12nC @ 10V8.5ns±30V21 ns600mA30V600V无ROHS3 Compliant------
- MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L--通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)350mA Tc-55°C~150°C TJBulkQFET®Obsolete1 (Unlimited)--1.5W-N-Channel5.3 Ω @ 175mA, 10V3.7V @ 250μA230pF @ 25V8nC @ 10V25ns±30V25 ns350mA30V500V-符合RoHS标准32014500V350mASingle无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 | 对比 |
| FQNL2N50BBU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L | 对比 |



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