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STQ2LN60K3-AP备选型号: STQ2HNK60ZR-AP
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- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子位置
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)9 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)600mA Tc150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH3™活跃1 (Unlimited)EAR99STQ22.5W10 nsN-Channel4.5 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 50μA235pF @ 50V12nC @ 10V8.5ns±30V21 ns600mA30V600V无ROHS3 Compliant----------------- MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)500mA Tc-55°C~150°C TJTape & Box (TB)SuperMESH™活跃1 (Unlimited)EAR99STQ2-10 nsN-Channel4.8 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 50μA280pF @ 25V15nC @ 10V30ns±30V50 ns500mA30V-无ROHS3 CompliantTin3SILICONe33BOTTOM3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING600V0.5A2A600V120 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 | 对比 |
 | FQNL2N50BBU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L | 对比 |
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