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STR2P3LLH6备选型号: BSS306NH6327XTSA1
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- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
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- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 无卤素
- 上升时间
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SOT-23-8162275_998G2A Ta150°C TJCut Tape (CT)STripFET™ H6活跃1 (Unlimited)EAR99STR21Single350mW5.4 nsP-Channel56m Ω @ 1A, 10V2.5V @ 250μA639pF @ 25V6nC @ 4.5V30V±20V-2A-1V20V-30V150°C1.25mm3.04mm1.75mmROHS3 Compliant-------------------
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R-10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33PG-SOT232.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)EAR99-1-500mW4.4 nsN-Channel57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA275pF @ 15V1.5nC @ 5V-±20V2.3A1.2V20V30V150°C1.1mm--ROHS3 CompliantTinSILICON2011e3yes3AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET无卤素2.3ns30V0.057Ohm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN358P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | 对比 |
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | 对比 |
| FDN357N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | 对比 |
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