Infineon Technologies BSS316NH6327XTSA1
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BSS316NH6327XTSA1
1211-BSS316NH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23
--最小包装量--
BSS316NH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSS316NH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
5.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
3.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 3.7μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
94pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6nC @ 5V
上升时间
2.3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1 ns
连续放电电流(ID)
1.4A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏源击穿电压
30V
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS316NH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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