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首页 全部分类 STS10DN3LH5 vs IRF7904TRPBF

STS10DN3LH5备选型号: IRF7904TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 功率 - 最大
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  • 长度
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  • STMicroelectronics
    STS10DN3LH5
    STMicroelectronics
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    21MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.5W
    鸥翼
    260
    30
    STS10
    8
    增强型MOSFET
    2.5W
    4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    21m Ω @ 5A, 10V
    1V @ 250μA
    475pF @ 25V
    4.6nC @ 5V
    22ns
    30V
    2.8 ns
    10A
    22V
    30V
    40A
    50 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7904TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7.6A 11A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    16.2MOhm
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    IRF7904PBF
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    16.2m Ω @ 7.6A, 10V
    2.25V @ 25μA
    910pF @ 15V
    11nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    11A
    20V
    30V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2006
    Dual
    1.4W 2W
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
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