STMicroelectronics STS7PF30L
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STS7PF30L
2381-STS7PF30L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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P-Channel 30 V 0.021 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - SOIC-8
--最小包装量--
STS7PF30L详情
STMicroelectronics STS7PF30L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
40 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Tc
Turn Off Delay Time
65 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
21mOhm
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-7A
基本部件号
STS7P
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
电压
30V
电流
7A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
68 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 4.5V
上升时间
54ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
高度
1.25mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STS7PF30L拓展信息
STMicroelectronics
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