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首页 全部分类 STS7P4LLF6 vs IRF7468PBF

STS7P4LLF6备选型号: IRF7468PBF

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  • RoHS状态
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  • 已出版
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  • 附加功能
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STS7P4LLF6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 40V 7A POWERSO-8
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4.5V 10V
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STS7P
    Single
    增强型MOSFET
    P-Channel
    20.5m Ω @ 3.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    2850pF @ 25V
    22nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    7A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7468PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    15.5m Ω @ 9.4A, 10V
    2V @ 250μA
    2460pF @ 20V
    34nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2004
    e3
    8
    15.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    40V
    DUAL
    鸥翼
    9.4A
    2.5W
    7.6 ns
    SWITCHING
    2.3ns
    3.8 ns
    9.4A
    2V
    12V
    40V
    75A
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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