STS8DNF3LL备选型号: STS9NF3LL

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 配置
  • Vgs(最大值)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4.535924g
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e4
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    1.6W
    鸥翼
    260
    8A
    30
    STS8DN
    8
    增强型MOSFET
    2W
    18 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 4A, 10V
    1V @ 250μA
    800pF @ 25V
    17nC @ 5V
    32ns
    11 ns
    8A
    16V
    8A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    6.35mm
    12.7mm
    6.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    9A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    19mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    -
    鸥翼
    260
    9A
    30
    STS9NF
    8
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 4.5A, 10V
    1V @ 250μA
    800pF @ 25V
    17nC @ 5V
    32ns
    11 ns
    9A
    16V
    9A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±16V
    36A
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