STT5N2VH5备选型号: IRLMS2002TRPBF

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 20V SOT23-6
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    2.5V 4.5V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    40mOhm
    STT5N
    Single
    1.6W
    N-Channel
    30m Ω @ 2A, 4.5V
    700mV @ 250μA (Min)
    367pF @ 16V
    4.6nC @ 4.5V
    ±8V
    5A
    8V
    20V
    1.3mm
    3.05mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    300mOhm
    -
    Single
    2W
    N-Channel
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    22nC @ 5V
    ±12V
    6.5A
    12V
    20V
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2005
    e3
    6
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    20V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    R-PDSO-G6
    增强型MOSFET
    8.5 ns
    SWITCHING
    11ns
    16 ns
    1.2V
    20A
    1.2 V
    无SVHC
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