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STT7P2UH7备选型号: FDC637AN
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 阈值电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET POWER MOSFET表面贴装表面贴装SOT-23-636.003894mgSILICON7A Tc150°C TJCut Tape (CT)STripFET™Obsolete1 (Unlimited)6EAR9919.5mOhmDUAL鸥翼未说明未说明STT7PR-PDSO-G61Single增强型MOSFET12.5 nsP-ChannelSWITCHING22.5m Ω @ 3.5A, 4.5V1V @ 250μA2390pF @ 16V22nC @ 4.5V30.5ns±8V84.5 ns7A8V7A20V28AROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-636mgSILICON26 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)6EAR9924mOhmDUAL鸥翼-----Single增强型MOSFET9 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 6.2A, 4.5V1.5V @ 250μA1125pF @ 10V16nC @ 4.5V13ns±8V13 ns6.2A8V-20V-ROHS3 Compliant10 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin61999e3yes20V6.2A1.6W820mV820 mV1.7mm3mm1mm无无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STT5N2VH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 20V SOT23-6 | 对比 |
 | BSL202SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |
| FDC604P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | In a Pack of 10, P-Channel MOSFET, 5.5 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC604P | 对比 |
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