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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.424868
10
¥6.061199
100
¥5.718112
500
¥5.394447
1000
¥5.089094
STMicroelectronics STT7P2UH7
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- 对比
STT7P2UH7
2381-STT7P2UH7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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MOSFET POWER MOSFET
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STT7P2UH7详情
STMicroelectronics STT7P2UH7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
质量
36.003894mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Tc
Turn Off Delay Time
128 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
19.5mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STT7P
JESD-30代码
R-PDSO-G6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
12.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22.5m Ω @ 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2390pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 4.5V
上升时间
30.5ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
84.5 ns
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STT7P2UH7拓展信息
STMicroelectronics
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