ON Semiconductor FDC637AN
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FDC637AN
1807-FDC637AN
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
--最小包装量--
FDC637AN详情
ON Semiconductor FDC637AN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
26 ns
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.2A Ta
已出版
1999
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
24mOhm
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
6.2A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 6.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1125pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
上升时间
13ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
6.2A
阈值电压
820mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
栅源电压
820 mV
宽度
1.7mm
长度
3mm
高度
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
FDC637AN拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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