FDC637AN
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ON Semiconductor FDC637AN

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型号

FDC637AN

utmel 编号

1807-FDC637AN

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6

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FDC637AN ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6

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FDC637AN详情

ON Semiconductor FDC637AN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    6

  • 质量

    36mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Turn Off Delay Time

    26 ns

  • Power Dissipation (Max)

    1.6W Ta

  • Number of Elements

    1

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.2A Ta

  • 已出版

    1999

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    24mOhm

  • 电压 - 额定直流

    20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    6.2A

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.6W

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    24m Ω @ 6.2A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1125pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 4.5V

  • 上升时间

    13ns

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    13 ns

  • 连续放电电流(ID)

    6.2A

  • 阈值电压

    820mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 栅源电压

    820 mV

  • 宽度

    1.7mm

  • 长度

    3mm

  • 高度

    1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

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