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STU60N3LH5备选型号: IPS060N03LGAKMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 工厂交货时间
- 已出版
- 无铅代码
- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON48A Tc-55°C~175°C TJSTripFET™ VTubee3Obsolete不适用3EAR99Matte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCESTU60N3Single增强型MOSFET60WDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 24A, 10V3V @ 250μA1620pF @ 25V8.8nC @ 5V33ns±20V4.2 ns24A1.8V22V48A30V6.9mm6.6mm2.4mmROHS3 Compliant无无SVHC------------
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON50A Tc-55°C~175°C TJOptiMOS™Tubee3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE-3-增强型MOSFET56W-5 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA2400pF @ 15V23nC @ 10V3ns±20V-50A-20V-----符合RoHS标准--14 Weeks2008no8541.29.00.95SINGLE未说明未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE30V0.009Ohm60 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFU3707ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK | 对比 |
| IPS075N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | INFINEON IPS075N03L G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 1 V | 对比 |
| IPS060N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | 对比 |
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