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首页 全部分类 STW10NK60Z vs SPW12N50C3FKSA1

STW10NK60Z备选型号: SPW12N50C3FKSA1

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  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STW10NK60Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    10A
    STW10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1370pF @ 25V
    70nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    30 ns
    10A
    3.75V
    TO-247AC
    30V
    0.75Ohm
    600V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW12N50C3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 560V 11.6A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    -
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    11.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    10 ns
    N-Channel
    -
    380m Ω @ 7A, 10V
    3.9V @ 500μA
    1200pF @ 25V
    49nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    8 ns
    11.6A
    -
    TO-247AD
    20V
    0.38Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    2005
    yes
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    560V
    500V
    34.8A
    340 mJ
    无铅
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