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首页 全部分类 STW10NK60Z vs STW18N60DM2

STW10NK60Z备选型号: STW18N60DM2

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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • STMicroelectronics
    STW10NK60Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    10A
    STW10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1370pF @ 25V
    70nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    30 ns
    10A
    3.75V
    TO-247AC
    30V
    0.75Ohm
    600V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW18N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    12A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    STW18N
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    295m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    12A
    3V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    未说明
    未说明
    600V
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