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首页 全部分类 STW19NM60N vs STW18N60M2

STW19NM60N备选型号: STW18N60M2

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  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STW19NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STW19N
    Single
    12 ns
    N-Channel
    285m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    35nC @ 10V
    15ns
    ±25V
    25 ns
    13A
    25V
    600V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW18N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STW18N
    -
    -
    N-Channel
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    791pF @ 100V
    21.5nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    13A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    3
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    600V
    0.28Ohm
    52A
    600V
    135 mJ
    无铅
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STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 对比