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首页 全部分类 STW25NM60ND vs STW33N60DM2

STW25NM60ND备选型号: STW33N60DM2

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • STMicroelectronics
    STW25NM60ND
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    Tin
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    21A Tc
    FDmesh™ II
    Tube
    150°C TJ
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    160mOhm
    STW25N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    60 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2400pF @ 50V
    80nC @ 10V
    30ns
    ±25V
    40 ns
    21A
    4V
    TO-247AC
    25V
    600V
    84A
    850 mJ
    5.15mm
    15.75mm
    20.15mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW33N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
    -
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    24A Tc
    MDmesh™ DM2
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    STW33N
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    130m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 250μA
    1870pF @ 100V
    43nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    24A
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    未说明
    未说明
    600V
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