STW48N60DM2备选型号: STW48NM60N

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW48N
    N-Channel
    79m Ω @ 20A, 10V
    5V @ 250μA
    3250pF @ 100V
    70nC @ 10V
    600V
    ±25V
    40A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    214 ns
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    STW48N
    N-Channel
    70m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    4285pF @ 50V
    124nC @ 10V
    -
    ±25V
    44A
    3.2V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    e3
    3
    70MOhm
    3
    Single
    增强型MOSFET
    255W
    99 ns
    SWITCHING
    18ns
    25.5 ns
    25V
    600V
    457 mJ
    5.15mm
    20.15mm
    15.75mm
    无铅
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