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首页 全部分类 STW48N60M2-4 vs IPZ60R060C7XKSA1

STW48N60M2-4备选型号: IPZ60R060C7XKSA1

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  • 已出版
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STW48N60M2-4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    42A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW48N
    Single
    N-Channel
    70m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 250μA
    3060pF @ 100V
    70nC @ 10V
    600V
    ±25V
    42A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPZ60R060C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    60m Ω @ 15.9A, 10V
    4V @ 800μA
    2850pF @ 400V
    68nC @ 10V
    -
    ±20V
    35A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2015
    e3
    yes
    4
    Tin (Sn)
    SINGLE
    R-PSFM-T4
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    0.06Ohm
    159 mJ
    无铅
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