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首页 全部分类 STW48N60M2-4 vs IPZ60R125P6FKSA1

STW48N60M2-4备选型号: IPZ60R125P6FKSA1

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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STW48N60M2-4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    42A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW48N
    Single
    N-Channel
    70m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 250μA
    3060pF @ 100V
    70nC @ 10V
    600V
    ±25V
    42A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPZ60R125P6FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-4
    -
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    37.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    99m Ω @ 14.5A, 10V
    4.5V @ 1.21mA
    3330pF @ 100V
    70nC @ 10V
    -
    ±20V
    37.9A
    符合RoHS标准
    SILICON
    2006
    e3
    yes
    4
    Tin (Sn)
    SINGLE
    R-PSFM-T4
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    600V
    0.125Ohm
    87A
    636 mJ
    无铅
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