STW56NM60N备选型号: IPW65R045C7FKSA1

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  • 晶体管元件材料
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
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  • 已出版
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600V 0.05 Ohm 45A MDmesh II FET
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    45A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    STW56N
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 22.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4800pF @ 50V
    150nC @ 10V
    ±25V
    45A
    25V
    0.06Ohm
    600V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    227W
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 24.9A, 10V
    4V @ 1.25mA
    4340pF @ 400V
    93nC @ 10V
    ±20V
    46A
    20V
    0.045Ohm
    650V
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    3
    2008
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    DRAIN
    20 ns
    14ns
    7 ns
    650V
    249 mJ
    150°C
    25.4mm
    无铅
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