STMicroelectronics STW56NM60N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

基本部件号

STW56N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 22.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4800pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

45A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

漏源击穿电压

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant