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首页 全部分类 STW6N120K3 vs FQH8N100C

STW6N120K3备选型号: FQH8N100C

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW6N120K3
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.4Ohm
    STW6N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4 Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 100μA
    1050pF @ 100V
    34nC @ 10V
    12ns
    1200V
    ±30V
    32 ns
    6A
    4V
    30V
    6A
    1.2kV
    20A
    4 V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQH8N100C
    ON Semiconductor
    N-channel Power Mosfet, Qfet®, 1000 V, 8.0 A, 1.45 ?, TO-247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    225W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.45 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    3220pF @ 25V
    70nC @ 10V
    95ns
    1000V
    ±30V
    80 ns
    8A
    -
    30V
    8A
    1kV
    -
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    6.39g
    2013
    yes
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    TO-247AB
    850 mJ
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