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首页 全部分类 STX13003G-AP vs APT27ZTR-G1

STX13003G-AP备选型号: APT27ZTR-G1

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 连续集电极电流
  • STMicroelectronics
    STX13003G-AP
    STMicroelectronics
    Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN 700Vces 400Vceo
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    SILICON
    400V
    1.5V
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.5W
    BOTTOM
    STX13003
    3
    Single
    1.5W
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    400V
    1A
    8 @ 500mA 2V
    1mA
    1.5V @ 500mA, 1.5A
    400V
    9V
    4700ns
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    APT27ZTR-G1
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    -
    -
    450V
    500mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    800mW
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    NPN
    500mV
    800mA
    15 @ 100mA 10V
    10μA
    500mV @ 40mA, 200mA
    450V
    9V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    TO-92
    453.59237mg
    2014
    150°C
    -55°C
    NPN
    800mW
    450V
    800mA
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