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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.759963
10
¥1.660344
100
¥1.566363
500
¥1.477694
1000
¥1.394054
STMicroelectronics STX13003G-AP
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- 对比
STX13003G-AP
2381-STX13003G-AP
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN 700Vces 400Vceo
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STX13003G-AP详情
STMicroelectronics STX13003G-AP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
hFEMin
5
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.5W
端子位置
BOTTOM
基本部件号
STX13003
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
8 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 500mA, 1.5A
最大击穿电压
400V
发射极基极电压 (VEBO)
9V
关断时间-最大值(toff)
4700ns
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STX13003G-AP拓展信息















哦! 它是空的。