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首页 全部分类 STY130NF20D vs IRFB4115GPBF

STY130NF20D备选型号: IRFB4115GPBF

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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STY130NF20D
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12MOhm
    Matte Tin (Sn)
    STY130
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    450W
    232 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 65A, 10V
    4V @ 250μA
    11100pF @ 25V
    338nC @ 10V
    218ns
    ±20V
    250 ns
    130A
    20V
    200V
    520A
    800 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4115GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    104A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    11MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 62A, 10V
    5V @ 250μA
    5270pF @ 50V
    120nC @ 10V
    73ns
    ±20V
    39 ns
    104A
    20V
    150V
    420A
    220 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2009
    250
    30
    DRAIN
    TO-220AB
    3 V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
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