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首页 全部分类 STY130NF20D vs IRFP4668PBF

STY130NF20D备选型号: IRFP4668PBF

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  • 基本部件号
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 已出版
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STY130NF20D
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12MOhm
    Matte Tin (Sn)
    STY130
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    450W
    232 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 65A, 10V
    4V @ 250μA
    11100pF @ 25V
    338nC @ 10V
    218ns
    ±20V
    250 ns
    130A
    20V
    200V
    520A
    800 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4668PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9.7MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    520W
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 81A, 10V
    5V @ 250μA
    10720pF @ 50V
    241nC @ 10V
    105ns
    ±30V
    74 ns
    130A
    30V
    200V
    520A
    760 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    2008
    通孔
    250
    30
    1
    DRAIN
    5V
    TO-247AC
    200V
    175°C
    5 V
    24.99mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
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