STMicroelectronics STY130NF20D

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

450W Tc

Turn Off Delay Time

283 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

12MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

基本部件号

STY130

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450W

接通延迟时间

232 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

338nC @ 10V

上升时间

218ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

250 ns

连续放电电流(ID)

130A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

520A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅