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首页 全部分类 TC6215TG-G vs IRF6216TRPBF

TC6215TG-G备选型号: IRF6216TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • 触点镀层
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  • 终端
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  • 端子位置
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  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
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  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TC6215TG-G
    Microchip Technology
    N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    84.99187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    40
    TC621
    不合格
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 2A, 10V
    2V @ 1mA
    120pF @ 25V
    2.3ns
    150V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    11.3 ns
    36A
    20V
    5Ohm
    -150V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.65mm
    4.9mm
    3.8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6216TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    1280pF @ 25V
    15ns
    -
    -
    26 ns
    -2.2A
    20V
    -
    -150V
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    HEXFET®
    SMD/SMT
    240mOhm
    DUAL
    2.5W
    49nC @ 10V
    ±20V
    -5V
    150V
    120 ns
    150°C
    5 V
    无SVHC
    无
    无铅
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