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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥45.333724
10
¥42.767663
100
¥40.346856
500
¥38.063073
1000
¥35.908556
Microchip Technology TC6215TG-G
- 收藏
- 对比
TC6215TG-G
1610-TC6215TG-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

N & P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE DUAL MOSFET8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TC6215TG-G详情
Microchip Technology TC6215TG-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
84.99187mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
17.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
TC621
资历状况
不合格
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
2.5 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4 Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
120pF @ 25V
上升时间
2.3ns
漏源电压 (Vdss)
150V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
11.3 ns
连续放电电流(ID)
36A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
5Ohm
漏源击穿电压
-150V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
1.65mm
长度
4.9mm
宽度
3.8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
TC6215TG-G拓展信息
Microchip Technology
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