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首页 全部分类 TC6320TG-G vs IRF6216TRPBF

TC6320TG-G备选型号: IRF6216TRPBF

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  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TC6320TG-G
    Microchip Technology
    Trans MOSFET N/P-CH 200V 8-Pin SOIC N T/R
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    84.99187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    TC6320
    2
    增强型MOSFET
    10 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 1A, 10V
    2V @ 1mA
    110pF @ 25V
    15ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    -2A
    2V
    7Ohm
    200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.65mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6216TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    1
    增强型MOSFET
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    1280pF @ 25V
    15ns
    -
    26 ns
    -2.2A
    -5V
    -
    -150V
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    SMD/SMT
    240mOhm
    Single
    2.5W
    49nC @ 10V
    ±20V
    20V
    150V
    120 ns
    150°C
    5 V
    无铅
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IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC 对比