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首页 全部分类 TC6320TG-G vs IRF7450TRPBF

TC6320TG-G备选型号: IRF7450TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TC6320TG-G
    Microchip Technology
    Trans MOSFET N/P-CH 200V 8-Pin SOIC N T/R
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    84.99187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    TC6320
    2
    增强型MOSFET
    10 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 1A, 10V
    2V @ 1mA
    110pF @ 25V
    15ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    -2A
    2V
    7Ohm
    200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.65mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7450TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
    14 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.5A, 10V
    5.5V @ 250μA
    940pF @ 25V
    3ns
    -
    18 ns
    2.5A
    5.5V
    -
    200V
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    SMD/SMT
    170mOhm
    雪崩 额定
    200V
    2.5A
    Single
    3W
    39nC @ 10V
    ±30V
    30V
    20A
    200V
    230 mJ
    5.5 V
    Contains Lead, Lead Free
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IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC 对比