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首页 全部分类 TC8020K6-G vs IRLH5030TRPBF

TC8020K6-G备选型号: IRLH5030TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 箱体转运
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TC8020K6-G
    Microchip Technology
    Trans MOSFET N/P-CH 200V 56-Pin QFN EP Tray
    17 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    56-VFQFN Exposed Pad
    56
    191.387631mg
    SILICON
    6
    -55°C~150°C TJ
    Tray
    2012
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    56
    EAR99
    镍钯金
    QUAD
    260
    40
    COMPLEX
    12
    增强型MOSFET
    10 ns
    6 N and 6 P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 1A, 10V
    2.4V @ 1mA
    50pF @ 25V
    15ns
    200V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    8Ohm
    -200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLH5030TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLH5030TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.5 V
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    SILICON
    13A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 50A, 10V
    2.5V @ 150μA
    5185pF @ 50V
    72ns
    -
    -
    41 ns
    -
    100V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    9.9MOhm
    R-PDSO-N5
    3.6W
    DRAIN
    94nC @ 10V
    ±16V
    100A
    2.5V
    16V
    400A
    230 mJ
    2.5 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无铅
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