Microchip Technology TC8020K6-G

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

56-VFQFN Exposed Pad

引脚数

56

质量

191.387631mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

6

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tray

已出版

2012

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

56

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

端子位置

QUAD

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

COMPLEX

通道数量

12

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

6 N and 6 P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

200V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

15 ns

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

漏源击穿电压

-200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant