THS4271DRBT备选型号: THS4211DRBT
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 包装方式
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电流
- 电源电流
- 功率耗散
- 压摆率
- 放大器类型
- 共模拒绝率
- 输入偏正电流
- 电压 - 电源,单/双路(±)
- 每个通道的输出电流
- 输入失调电压(Vos)
- 带宽
- 负电源电压(Vsup)
- 统一增益 BW-(标准值)
- 电压增益
- 电源抑制比
- 低偏移
- 频率补偿
- 电压 - 输入断态
- 结算时间
- 低偏压
- 微功率
- -3db 带宽
- 可编程电源
- 最大I/O电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 平均偏置电流-最大值 (IIB)
- 输入失调电流-最大值(IIO)
- IC OPAMP VFB 400MHZ 8SONACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks表面贴装8-VDFN Exposed PadYES822.906415mg1-40°C~85°CCut Tape (CT)e4yes活跃2 (1 Year)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)TR2.18WDUAL26015V0.65mmTHS4271822mA24mA2.18W1000V/μs电压反馈67 dB6μA5V~15V ±2.5V~7.5V160mA10mV400MHz-5V1400000 kHz68dB75dBNOYES5mV25 nsNONO1.4GHzNO12mV1mm3mm3mm880μm无ROHS3 Compliant无铅--
- IC OPAMP VFB 350MHZ 8SONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 Weeks表面贴装8-VDFN Exposed PadYES822.906415mg1-40°C~85°CTape & Reel (TR)e4yes活跃2 (1 Year)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)TR2.18WDUAL26015V0.65mmTHS4211819mA22mA2.18W970V/μs电压反馈50 dB7μA5V~15V ±2.5V~7.5V220mA12mV350MHz-5V1000000 kHz68dB58dBNOYES-22 nsNO-325MHzNO3mV1mm3mm3mm880μm无ROHS3 Compliant无铅20μA6μA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | THS4211DRBT | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-VDFN Exposed Pad | IC OPAMP VFB 350MHZ 8SON | 对比 |
![]() | THS4275DGK | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8VSSOP | 对比 |
![]() | THS4215DRBR | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-VDFN Exposed Pad | IC OPAMP VFB 350MHZ 8SON | 对比 |





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