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首页 全部分类 TK10A80E,S4X vs FCPF400N80ZL1

TK10A80E,S4X备选型号: FCPF400N80ZL1

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK10A80E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    6.000006g
    10A Ta
    4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    活跃
    不适用
    1
    Single
    50W
    80 ns
    N-Channel
    1 Ω @ 5A, 10V
    2000pF @ 25V
    46nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    35 ns
    10A
    30V
    800V
    150°C
    18.1mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF400N80ZL1
    ON Semiconductor
    MOSFET HV SuperJunction MOS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    2.27g
    1
    4.5V @ 1.1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    1
    Single
    -
    20 ns
    N-Channel
    400m Ω @ 5.5A, 10V
    2350pF @ 100V
    56nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    2.6 ns
    11A
    30V
    800V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    400mOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    SWITCHING
    TO-220AB
    33A
    339 mJ
    not_compliant
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