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首页 全部分类 TK16E60W,S1VX vs STP22NM60N

TK16E60W,S1VX备选型号: STP22NM60N

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  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
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  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK16E60W,S1VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    15.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    130W
    N-Channel
    190m Ω @ 7.9A, 10V
    3.7V @ 790μA
    1350pF @ 300V
    38nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    5 ns
    15.8A
    30V
    600V
    超级交界处
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP22NM60N
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    125W
    N-Channel
    220mOhm @ 8A, 10V
    4V @ 100μA
    1300pF @ 50V
    44nC @ 10V
    -
    ±30V
    38 ns
    16A
    30V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    TO-220AB
    220mOhm
    150°C
    -55°C
    STP22N
    11 ns
    600V
    3V
    1.3nF
    200mOhm
    220 mΩ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无铅
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