TK20A60W,S5VX备选型号: STP28N60M2

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    6.000006g
    20A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    50 ns
    N-Channel
    155mOhm @ 10A, 10V
    3.7V @ 1mA
    1680pF @ 300V
    48nC @ 10V
    25ns
    600V
    ±30V
    6 ns
    20A
    30V
    1.68nF
    130mOhm
    155 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 24A TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    329.988449mg
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1
    Single
    14.5 ns
    N-Channel
    150m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    1370pF @ 100V
    37nC @ 10V
    -
    600V
    ±25V
    -
    24A
    25V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    3
    EAR99
    STP28N
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    22A
    88A
    600V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无铅
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