TK20A60W,S5VX
TK20A60W,S5VX

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Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W,S5VX

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型号

TK20A60W,S5VX

utmel 编号

2541-TK20A60W,S5VX

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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TK20A60W,S5VX
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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TK20A60W,S5VX详情

Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W,S5VX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220SIS

  • 质量

    6.000006g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    45W Tc

  • Turn Off Delay Time

    100 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    DTMOSIV

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    50 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    155mOhm @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.7V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1680pF @ 300V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    48nC @ 10V

  • 上升时间

    25ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    6 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 输入电容

    1.68nF

  • 漏源电阻

    130mOhm

  • 最大rds

    155 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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