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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥27.331894
10
¥25.784807
100
¥24.325289
500
¥22.948384
1000
¥21.649419
Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W,S5VX
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- 对比
TK20A60W,S5VX
2541-TK20A60W,S5VX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TK20A60W,S5VX详情
Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W,S5VX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220SIS
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
45W Tc
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
DTMOSIV
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
50 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1680pF @ 300V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
1.68nF
漏源电阻
130mOhm
最大rds
155 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TK20A60W,S5VX拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
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