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TK30E06N1,S1X备选型号: DMT6009LCT

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安装类型
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Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
已出版
系列
包装
操作温度
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
供应商器件包装
最高工作温度
最小工作温度
输入电容
最大rds

TK30E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

12 Weeks
TO-220-3
通孔
通孔
4V @ 200μA
53W Tc
2014
U-MOSVIII-H
Tube
150°C TJ
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
15m Ω @ 15A, 10V
1050pF @ 30V
16nC @ 10V
60V
±20V
43A
符合RoHS标准
-
-
-
-
-
DMT6009LCT

Diodes Incorporated

MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

19 Weeks
TO-220-3
通孔
通孔
2V @ 250μA
37.2A Tc
2016
-
Tube
-55°C~150°C TJ
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
12mOhm @ 13.5A, 10V
1925pF @ 30V
33.5nC @ 10V
60V
±16V
37.2A
ROHS3 Compliant
TO-220AB
150°C
-55°C
1.925nF
12 mΩ
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