Infineon Technologies IPP45N06S4L08AKSA2

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

71W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 35μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.2m Ω @ 45A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4780pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

上升时间

2ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

45A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0079Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

高度

15.65mm

长度

10mm

宽度

4.4mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant