TK35N65W,S1F备选型号: STWA45N65M5

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  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
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  • 供应商器件包装
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 包装
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  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
    16 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    TO-247
    38.000013g
    270W Tc
    3.5V @ 2.1mA
    Tube
    DTMOSIV
    2014
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    70 ns
    N-Channel
    80mOhm @ 17.5A, 10V
    4100pF @ 300V
    100nC @ 10V
    30ns
    650V
    ±30V
    8 ns
    35A
    30V
    650V
    4.1nF
    68mOhm
    80 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 35A TO247
    17 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    -
    35A Tc
    5V @ 250μA
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    150°C TJ
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    79.5 ns
    N-Channel
    78m Ω @ 17.5A, 10V
    3470pF @ 100V
    82nC @ 10V
    11ns
    -
    ±25V
    9.3 ns
    35A
    25V
    650V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    EAR99
    STWA45
    增强型MOSFET
    210W
    SWITCHING
    0.078Ohm
    140A
    810 mJ
    无铅
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