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首页 全部分类 TK39A60W,S4VX vs FCP104N60

TK39A60W,S4VX备选型号: FCP104N60

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 高度
  • 长度
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  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK39A60W,S4VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.000006g
    SILICON
    38.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    80 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 19.4A, 10V
    3.7V @ 1.9mA
    4100pF @ 300V
    110nC @ 10V
    50ns
    600V
    ±30V
    9 ns
    38.8A
    TO-220AB
    30V
    0.065Ohm
    600V
    608 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP104N60
    ON Semiconductor
    MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 18.5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    4165pF @ 380V
    82nC @ 10V
    18ns
    600V
    ±20V
    3.3 ns
    37A
    TO-220AB
    30V
    -
    600V
    809 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
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