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首页 全部分类 TK3P50D,RQ(S vs FQD4N50TM

TK3P50D,RQ(S备选型号: FQD4N50TM

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源击穿电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK3P50D,RQ(S
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
    16 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    3A Ta
    4.4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    60W
    N-Channel
    3 Ω @ 1.5A, 10V
    280pF @ 25V
    7nC @ 10V
    20ns
    500V
    ±30V
    10 ns
    3A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD4N50TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    1
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2.5W
    N-Channel
    2.7 Ω @ 1.3A, 10V
    460pF @ 25V
    13nC @ 10V
    45ns
    -
    ±30V
    30 ns
    2.6A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    260.37mg
    QFET®
    2.7Ohm
    500V
    2.6A
    Single
    12 ns
    500V
    6.6mm
    2.3mm
    6.1mm
    无铅
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