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首页 全部分类 TK3P50D,RQ(S vs STD4NK50ZT4

TK3P50D,RQ(S备选型号: STD4NK50ZT4

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK3P50D,RQ(S
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
    16 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    3A Ta
    4.4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    60W
    N-Channel
    3 Ω @ 1.5A, 10V
    280pF @ 25V
    7nC @ 10V
    20ns
    500V
    ±30V
    10 ns
    3A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD4NK50ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    21 ns
    4.5V @ 50μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    45W
    N-Channel
    2.7 Ω @ 1.5A, 10V
    310pF @ 25V
    12nC @ 10V
    7ns
    -
    ±30V
    11 ns
    3A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    SuperMESH™
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    2.7Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    500V
    鸥翼
    260
    3A
    30
    STD4N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    3.75V
    TO-252AA
    3A
    500V
    500V
    2.3 V
    6.2mm
    2.4mm
    6.6mm
    无SVHC
    无铅
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