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首页 全部分类 TK40P03M1(T6RSS-Q) vs DMN3010LK3-13

TK40P03M1(T6RSS-Q)备选型号: DMN3010LK3-13

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  • 附加功能
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  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK40P03M1(T6RSS-Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    DP
    40A Ta
    2.3V @ 100μA
    Tape & Reel (TR)
    U-MOSVI-H
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    33W
    N-Channel
    10.8mOhm @ 20A, 10V
    1150pF @ 10V
    17.5nC @ 10V
    15ns
    30V
    ±20V
    14 ns
    40A
    20V
    1.15nF
    10.8 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3010LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 43A TO252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    13.1A Ta 43A Tc
    2.5V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    9.5m Ω @ 18A, 10V
    2075pF @ 15V
    37nC @ 10V
    19.6ns
    -
    ±20V
    10.7 ns
    43A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3.949996g
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.075nF
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.5 ns
    SWITCHING
    0.0095Ohm
    30V
    90A
    not_compliant
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