TK40P03M1(T6RSS-Q)
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Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q)

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型号

TK40P03M1(T6RSS-Q)

utmel 编号

2541-TK40P03M1(T6RSS-Q)

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A

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TK40P03M1(T6RSS-Q)
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A

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TK40P03M1(T6RSS-Q)详情

Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    DP

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    40A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.3V @ 100μA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    U-MOSVI-H

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    33W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10.8mOhm @ 20A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1150pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    17.5nC @ 10V

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    14 ns

  • 连续放电电流(ID)

    40A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 输入电容

    1.15nF

  • 最大rds

    10.8 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q).

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & TK40P03M1(T6RSS-Q)相似的参数规格。

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TK40P03M1(T6RSS-Q)拓展信息

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