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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.226495
10
¥7.760842
100
¥7.321554
500
¥6.907128
1000
¥6.516152
Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q)
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- 对比
TK40P03M1(T6RSS-Q)
2541-TK40P03M1(T6RSS-Q)
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TK40P03M1(T6RSS-Q)详情
Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
DP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.3V @ 100μA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI-H
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
33W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.8mOhm @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1150pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.5nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
1.15nF
最大rds
10.8 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TK40P03M1(T6RSS-Q)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba










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