TK4P50D(T6RSS-Q)备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-312 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装314.4V @ 1mA150°C TJTape & Reel (TR)π-MOSVII2010活跃1 (Unlimited)80WN-Channel2 Ω @ 2A, 10V380pF @ 25V9nC @ 10V15ns500V±30V7 ns4A30V无符合RoHS标准无铅-----------
- On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA118 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装323 ns3.5V @ 70μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2008活跃3 (168 Hours)25WN-Channel1.4 Ω @ 900mA, 13V178pF @ 100V8.2nC @ 10V6ns500V±20V30 ns3.1A30V-ROHS3 Compliant-e3yesEAR99Tin (Sn)Single6.5 ns550V6.22mm6.73mm2.41mmnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STDLED625H | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK | 对比 |





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