Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D(T6RSS-Q)

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

π-MOSVII

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

功率耗散

80W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅