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首页 全部分类 TK4P60DA(T6RSS-Q) vs FDD5N50NZFTM

TK4P60DA(T6RSS-Q)备选型号: FDD5N50NZFTM

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  • 端子表面处理
  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 高度
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  • 宽度
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK4P60DA(T6RSS-Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    π-MOSVII
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    80W
    N-Channel
    2.2 Ω @ 1.8A, 10V
    4.4V @ 1mA
    490pF @ 25V
    11nC @ 10V
    18ns
    600V
    ±30V
    8 ns
    3.5A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5N50NZFTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    62.5W
    N-Channel
    1.75 Ω @ 1.85A, 10V
    5V @ 250μA
    485pF @ 25V
    12nC @ 10V
    19ns
    -
    ±25V
    22 ns
    3.7A
    25V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    500V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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